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　　美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供应链造(zào)成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)的结论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关(guān)键信息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全(quán)审查(chá)办法》，对美光公几天不见怎么这么湿，没过几天就湿成那样了司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实(shí)施(shī)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美(měi)光(guāng)等国(guó)际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国(guó)产(chǎn)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的(de)生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ几天不见怎么这么湿，没过几天就湿成那样了)经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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